随着二维电子学这一前沿领域的快速发展，基于理论计算的新型量子材料研究正受到广泛关注。为进一步提升学院教师的科研水平和学生的创新能力，光学与电子信息学院于7月29日和8月13日分别邀请美国圣路易斯华盛顿大学徐熙龙博士和东南大学孙文聪博士作题为《为非共线自旋纹理诱导的拓扑霍尔效应》和《二维交错磁性设计的新策略：双层反向堆叠》的学术报告。两场报告均由丁云老师主持，学院相关教师及部分本科生积极参加，为暑期科研氛围的延续与学术视野的拓展注入了新动力。
徐熙龙博士系统介绍了其团队在拓扑量子材料与二维磁体领域的突破性工作。针对近年来扭曲过渡金属二硫族化合物（TMD）同质双层及多层石墨烯中拓扑平带的发现，徐博士团队提出了一种新型可调谐拓扑莫尔平带平台——扭转II型Rashba同质双层体系。研究通过保持中心对称性，利用Rashba自旋轨道耦合与层间相互作用的协同效应，成功在狄拉克锥中打开具有非零贝里曲率的能隙，并在以扭曲BiTeI双层为例的理论预测中，实现了带宽低于20 meV的拓扑平带。此外，他还介绍了团队在二维交错磁体中利用应变工程灵活调控轴向霍尔效应的最新成果，为低能耗自旋电子器件设计提供了新思路。
孙文聪博士围绕近年来备受关注的交错磁性（Altermagnetism）展开报告，这是一种独立于传统铁磁性和反铁磁性的磁性新分支。孙博士指出，目前已有多种三维交错磁性材料被证实，但二维交错磁性的研究仍十分有限。她提出了一种在二维晶格中实现交错磁性的设计方法——双层反向堆叠，可在材料内部本征地产生可由晶体手性调控的自旋分裂。以具有AB堆叠结构的双层PtBr₃为例，她展示了该方法的可行性，并探讨了堆叠方式与滑移电子学结合后，在AC堆叠中通过层间滑移实现可逆自发极化，从而实现极化调控的自旋分裂与磁电耦合，即便在无净磁化情况下也可通过磁光克尔效应进行探测。这一方法为探索磁性、铁电性及自旋物理的丰富特性提供了重要平台。
两场报告主题鲜明、内容前沿，围绕自旋电子学深入探讨了拓扑霍尔效应与二维交错磁性等国际领先的理论计算研究进展，不仅为学院师生呈现了最新科研成果，也在拓宽学术视野、激发科研兴趣方面发挥了积极作用。特别是对于利用暑假坚持参与的本科生而言，这些高水平学术交流有效帮助他们建立起对二维量子材料与自旋电子学前沿的整体认知，进一步吸引他们主动投身创新研究，为学院相关学科的发展与人才培养注入了新活力。
新闻来源：光学与电子信息学院 图/文：丁云 审核：雎胜
