随着拓扑绝缘体领域研究的持续深化，探索超越传统狄拉克态的新型表面/边缘模式已成为国际自旋电子学领域的前沿热点方向。为帮助学院师生精准把握该领域研究动态、进一步提升科研创新能力，11月20日，重庆大学马大帅副教授受邀做客光电学院，带来题为“Abundant surface/edge modes that beyond the Dirac states of topological insulators”的高水平学术报告。报告由雎胜院长主持，学院相关专业教师与学生代表积极参与，共同聚焦拓扑材料领域的前沿突破。
报告中，马大帅老师以清晰的逻辑框架围绕主题展开系统阐述，深入剖析了拓扑绝缘体表面/边缘模式的核心物理特性与学术研究价值。结合其团队多年研究实践，他重点介绍了阻挫绝缘体这类新型体系中丰富表面/边缘模式的构建方法与技术路径，针对拓扑结构精准设计、材料界面动态调控、高阶拓扑效应挖掘等关键研究环节进行了细致讲解。此外，马大帅老师还分享了从一维、二维到三维系统的研究思路：通过科学选择切面暴露瓦尼尔中心，进而成功形成边界态与角态；并借助严谨的对称性分析，明确论证了这些拓扑性质的物理起源，最终总结出此类角态的调控规律，为在场师生提供了兼具理论深度与实践指导性的学术内容。
此次报告紧扣学术前沿、内容详实且逻辑严密，马大帅老师将阻挫绝缘体领域的前沿成果与创新研究方法清晰传递给在场听众。在互动交流环节，师生们围绕报告核心内容踊跃提问，针对对称性分析的技术细节、材料界面调控的优化方向等关键问题展开热烈讨论，马大帅老师逐一耐心回应，现场学术氛围浓厚。对于参与报告的师生而言，这场高水平学术分享不仅有效拓宽了学术视野，加深了对拓扑绝缘体表面/边缘模式研究的系统性理解，更为后续开展相关领域科研工作提供了全新的思路与方向，进一步激发了师生投身自旋电子学前沿研究的热情。
新闻来源：光学与电子信息学院 图／文：岳小宇 审核：赵晓辉
