产教融合

“企业家进高校”前沿大课堂——苏州纳维科技有限公司董事长徐科讲授第三代半导体材料与应用技术

发布时间:2026-10-29

  为深化产教融合、科教融汇,促进产业前沿与专业教育相衔接,10月23日下午,光学与电子信息学院“企业家进高校”前沿大课堂在3-111教室举行。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、苏州纳维科技有限公司董事长徐科应邀作《第三代半导体材料与应用技术》专题报告。学院副院长钱敏主持,微电子科学与工程专业负责人魏苗清、电子信息材料专业负责人左青卉及学院师生参加。

  徐科是国家杰出青年科学基金获得者,长期从事氮化物半导体材料生长与装备研究,研制成功2至6英寸氮化镓单晶衬底并推动产业化应用。报告结合其科研与产业实践,围绕第三代半导体材料的性能特点、关键技术及应用前景展开。

  报告中,徐科从半导体材料与信息技术发展的关系切入,介绍氮化镓、氮化铝、碳化硅等宽禁带半导体材料的特性,结合照明显示、射频通信、新能源汽车及电力电子等应用,阐释材料性能对器件功能和系统效率的影响。他指出,不同类型半导体材料各有适用领域,应结合具体需求认识其技术优势与应用边界。

  围绕氮化镓单晶材料,徐科重点分析了异质外延中的缺陷问题及其对器件性能的制约,介绍低缺陷单晶材料生长、测试表征和同质外延等方面的研究进展。他结合团队研究工作,说明材料质量、芯片微型化与制造成本之间的关系,并介绍国家第三代半导体技术创新中心(苏州)在材料、工艺、器件及测试分析等环节的平台建设情况,阐述技术研发与成果产业化之间的衔接。

  互动交流环节,师生围绕氮化镓单晶尺寸、氮化镓与碳化硅的性能差异、材料研究与应用需求的关系等问题提问。针对两类材料的技术选择,徐科从耐压性能、开关速度及材料质量等方面作出分析,指出评价材料的应用潜力,既要关注其理论性能,也要结合现阶段的制备水平、器件表现和性价比综合判断。

  针对电子信息材料专业学生提出的如何依据实际应用需求开展材料设计与研究的问题,徐科谈到,材料研究需要立足具体应用场景,统筹考虑多项性能要求及成本因素,推动材料结构、制备工艺与应用需求相匹配。围绕微电子专业的发展前景和学生成长,他进一步介绍微纳加工技术在不同领域的应用,勉励同学们夯实基础理论,重视底层技术的学习,在关注产业发展的同时增强专业积累。

  本次前沿大课堂将半导体材料研究、产业应用与专业学习相结合,为师生了解行业技术进展、认识科研与工程实践的联系提供了交流机会,也为学院深化产教融合、开展应用型人才培养提供了参考。


新闻来源:光学与电子信息学院 图、文:陈玥妤 审核:宋丹、雎胜

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